在全球半导体产业竞争加剧的背景下，新型半导体材料的研发与应用正成为各国争夺技术优势的重要方向。近日，北京铭镓半导体有限公司完成A++轮融资，获得彭程创投、成都科创投等多家机构联合投资1.1亿元。此次融资将为我国超宽禁带半导体材料的产业化推进提供资金支持。氧化镓作为新兴的第四代半导体材料，因突出的物理性能受到关注。与传统碳化硅相比，其成本约为三分之一，击穿电场强度高出两倍以上，适用于高压、高温等应用场景。业内人士认为，这些特性使其在新能源汽车快充系统、智能电网设备等领域具备较大应用潜力。但长期以来，氧化镓产业化仍面临制备工艺复杂、量产难度高等问题。此次融资落地，反映出资本市场对该技术路线的认可更提高。据了解，铭镓半导体将把资金重点用于6英寸衬底技术研发和量产准备。6英寸衬底的规模化生产被视为行业的重要门槛，突破后有望显著降低下游应用成本。此外，企业计划新增4-6英寸中试产线设备20台（套），达产后年产能预计可达3万片衬底。作为北京市唯一聚焦超宽禁带半导体的育新平台企业，铭镓半导体也获得了地方政府支持。2025年，该企业获得顺义区第三代半导体重点支持项目5000余万元资金扶持。依托博士后工作站和3000平方米实验平台，企业已组建产学研联合攻关团队，打通材料制备到应用验证的关键环节，整合全链条资源。“这不仅是单一企业的成长，”行业专家分析，“更关系到我国在新一代半导体材料领域的自主可控布局。”除氧化镓外，铭镓半导体的磷化铟多晶业务也在加速增长。为应对人工智能、大数据通信等领域需求上升，企业计划到2026年新增设备50台（套），形成年产20吨的产能规模。数据显示，2025年企业年度产值已达3000万元，预计2026年将突破亿元。
氧化镓产业化进程的提速，反映出我国新材料研发与规模化落地上的持续推进。从实验室研发走向规模生产，从关键技术突破延伸到产业配套完善，铭镓半导体的路径为第四代半导体产业化提供了参考。随着融资到位、产能扩张和应用验证逐步推进，氧化镓有望在新能源、新基建等战略性新兴产业中拓展应用，成为我国半导体产业向高端发展的一股重要推动力。