全球芯片产业正遭遇硅基材料的物理极限。随着制程逼近1纳米，传统芯片的“短沟道效应”引发电流泄漏与散热失控，摩尔定律延续面临压力。业界普遍认为，凭借原子级厚度的二维半导体有望突破硅基瓶颈。但完整器件离不开N型与P型材料配合，其中P型二维半导体因性能波动和制造难度大，长期受制于西方的关键技术壁垒。自2011年以来，全球P型二维半导体的核心环节主要被西方国家掌握，并对中国实施严格限制，样品与关键技术禁售，意在阻断中国从二维半导体走向产业化。此封锁使对应的研究成果难以落地，成为中国芯片产业发展的长期掣肘。
从科学问题到工程问题，再到产业问题，关键材料的突破往往决定技术路线的上限。面向未来芯片发展新阶段，既要把握单点突破带来的窗口期，也要尊重产业化的长周期规律，用更扎实的体系化创新推动核心技术迭代，持续提升产业链供应链韧性，为高质量发展夯实技术底座。