我们来看看双面Poly-c-Si TOPCon电池，它只有12道工序就能解锁高转换效率。以前的单面电池，金属电极直接踩在硼扩散层上，这样就没法避免载流子复合损耗了。双面结构就不一样了，它把电极抬高到钝化层上，彻底切断了金属与硅的直接接触。这样一来，复合损失就大大减少了，转换效率自然就提升了。大家可以看看上图，单面电池的金属电极踩在硼扩散层上；下图是双面电池的电极悬在钝化层上方，把复合路径都切断了。接下来我们再看LPCVD路线。第一步是湿法清洗，把硅片放进清洗机里去除切割损伤和表面污染物。第二步是硼扩散，把高剂量的硼离子植入深层硅中形成PN结。第三步是背抛，利用链式或水膜清洗机把背面的硼层去掉，保留正面BSG作为掩膜。第四步是磷扩散，在磷扩散炉中把背面掺杂磷，正面则被BSG挡住了。第五步是去氧化，用槽式或链式清洗机去除BPSG和PSG钝化层。第六步是LPCVD，在管式LPCVD里同时在前后两面沉积SiO/Poly-Si本征层。第七步是掺杂源浆料印刷，在丝网印刷机上印上硼源和磷源浆料形成局部掺杂“种子”。第八步是热推进，在管式热氧化炉里高温扩散把杂质拉进Poly-Si层形成局部高掺区。第九步是掩膜制备，再次丝网印刷涂覆掩膜浆料为刻蚀做准备。第十步是化学刻蚀，在清洗机里选择性刻蚀非掩区Poly-Si只留下高掺杂磷层和高掺杂硼层。第十一步是正面镀膜，在管式PECVD里沉积AlO/SiN叠层钝化膜降低反射率。第十二步是背面镀膜再沉积一层SiN减反钝化膜。最后一步是金属电极烧结一次成型完成整个工序。除了LPCVD路线外还有PECVD路线可选这个路线只需要两步PECVD就能完成同样的功能设备投资更低速度更快也是一种追求低成本高效能的选择无论选择哪种路线只要每一步参数控制到纳米级精度双面Poly-c-Si TOPCon电池就能轻松跑出高于单面TOPCon一个百分点的效率。