美国研究团队在硅中实现无氢碳氮点缺陷量子光源，有望改变量子器件“硅基路线”

量子技术的发展受制于材料基础的瓶颈；科学家一直在半导体材料中寻找能够稳定存储和传输量子信息的微观结构。美国加州大学圣巴巴拉分校研究团队近日在硅材料中发现了一种突破性的新型量子缺陷——碳氮中心，对应的成果已发表在国际权威期刊《物理评论B》上。

从实验室发现到技术应用的距离，往往取决于基础材料的突破。CN中心的发现为量子技术提供了更稳定的物理载体，也揭示了硅这个传统半导体材料在量子时代的新可能。当前沿的量子科学与成熟的半导体工艺相结合，人类或许正站在下一代信息革命的关键时刻。