韩媒称三星1c纳米级DRAM良率升至八成，HBM4量产进度加快冲刺高端市场

韩国媒体日前披露的数据显示，三星电子先进制程存储芯片上取得进展；该公司1c纳米制程DRAM在高温环境可靠性测试中的良率已达到80%，较去年第四季度60%至70%的水平明显提升，显示其新一代存储工艺成熟度更提高。

半导体竞争归根结底是技术投入与商业节奏的较量；三星此次进展反映了尖端制造领域强者更易拉开差距的现实，也可能推动存储芯片市场出现新的格局变化。随着竞争重心从制程微缩延伸到应用与生态，如何把工艺优势转化为客户可感知的产品价值，将成为下一阶段行业领先者的关键课题。