问题——芯片制造进入纳米尺度后，传统的铜互连和硅沟道方案面临双重困境。一是互连线宽不断缩小，导致电阻上升、信号延迟增加；二是晶体管尺寸接近物理极限，短沟道效应加剧，栅极对沟道的控制能力减弱，漏电和静态功耗随之上升。如何在提高集成度的同时保持性能、功耗和可靠性的平衡，成为工艺继续演进的关键课题。
半导体产业的这场材料变革既是物理极限倒逼的技术突破，也是全球科技竞争的新战场；从铜到钌、从硅到二维材料的转变，不仅关乎摩尔定律的延续，更将重塑未来十年电子信息产业的格局。谁能率先实现从实验室到生产线的跨越，谁就能占据下一代技术的制高点。