因为现在的AI需求特别旺，像HBM和NAND这种存储芯片早就不够卖了，所以英伟达这次没有像以前那样光盯着供应商看，而是开始真正下场去搞技术研发了。就在3月13日这天，有消息说英伟达已经加入到了三星电子的研发队伍里，双方一起琢磨新的AI技术，还有铁电NAND闪存这块还没开始卖的未来技术。这事儿确实挺少见的，毕竟一直以来英伟达都是在外面买芯片，自己很少亲自下场去做。铁电NAND被认为是个大杀器，能同时解决两个大麻烦：一是现在芯片短缺得厉害；二是数据中心的电费高得吓人。这个技术厉害的地方在于它能把几层材料堆得很高，最多能叠到1000层，还能把功耗降下来96%，给大家指了一条新路。 再看市场数据，Omdia前一天说的情况更让人心惊。2022年全球NAND的产量达到了顶点，大概有2138.7万片晶圆出货量。本来以为今年会缓口气呢，结果一看预测，今年出货量可能要跌到1540.8万片，到了2028年也才恢复到1761万片，这点量根本没法满足现在的需求。这价格也跟着水涨船高了，今年第一季度环比涨了90%，让好多买家都难受。英伟达还打算在下一代的AI加速器“Vera Rubin”里塞一个叫ICMS的新型NAND。 要是真这么干了，光这一块就要吃掉全球9.3%的NAND供应量。再加上数据中心的电费问题也越来越难办。国际能源署估计啊，到了2030年全球AI数据中心的用电量能达到950太瓦时，几乎翻了一倍。这两个难题要是解决不好，不仅会让英伟达的AI加速器断供，还得把数据中心的客户坑得很惨。 为了把这些问题搞定，英伟达这阵子一直在使劲砸钱搞新技术。比如在3月2日，他们就大手笔给Lumentum Holdings和Coherent这两家做硅光子学的公司投资了40亿美元。去年他们还成立了那个“英伟达加速量子研究中心”，想把GPU和量子处理器结合起来用。 这次跟三星合作搞铁电技术也属于他们这种捞取新兴技术的一部分。铁电材料有个特点是不用高电压就能保持两极分开的状态。现在的NAND主要是用硅做的，必须靠高电压来处理信息。如果换成铁电材料就省事多了，电压不用那么高。电压低了就意味着能更密集地把几层材料堆在一起，从而提高产量。 要把这种好处发挥出来就需要仔细研究铁电材料复杂的性质和结构。为此三星和英伟达联手搞出了一个AI技术，分析速度比以前快了一万倍。有内部人士说三星现在手里已经有了两三百层的堆叠技术了，以后要突破1000层还得靠铁电材料当核心。去年底他们展示过用铁电晶体管做的低功耗NAND闪存，正在往商业化上使劲呢。 在专利这块数据也挺能说明问题的。韩国知识产权局统计了过去12年中美韩日欧五大经济体的情况，发现三星在铁电器件上的专利最多有255项，占了27.8%的份额。不仅甩开了英特尔、SK海力士还有台积电这些对手，显示出很强的竞争力。 就在上个月咱们中国的北京大学也弄出了全球最小的1nm铁电晶体管来凑热闹。这种新技术的竞赛其实就是因为人工智能芯片发展太快了，必须得把NAND技术也赶紧跟上才能支持计算。据说三星电子和SK海力士还在琢磨基于NAND的高带宽闪存（HBF）呢。 参加完上面的评选活动请点击进入↓↓