前几天，德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所的研究员们说他们在叠层光伏组件上搞出了两个新的效率纪录，突破了34.2%。还有一个是31.3%。这个效果很牛吧？这两项成果都用了周期表III族和V族元素组成的III-V族半导体材料，这种材料转换效率特别高。Fraunhofer ISE 的项目负责人Laura Stevens拿了一块效率34.2%的III-V族锗组件，特别兴奋。你看这个面积833平方厘米的组件，是他们“Vorfahrt”项目的一部分，就是想开发成本更低的III-V族电池。这类电池通常给车辆、飞机和太空用，所以成本就不低了。这个组件是Azur Space Solar Power公司做的，用三结III-V族锗电池做出的地面太阳光谱用。还有一个叫temicon的公司帮忙，在组件玻璃上做了纳米压印工艺，减少了反射损失，提高了效率。另外一块是Fraunhofer ISE做出来的31.3%效率的III-V族硅光伏组件，这可是同类别里面的新纪录呢。这个是在几年前36.1%的III-V族硅太阳能电池记录基础上搞出来的，属于他们“Mod30plus”项目。 那个项目要开发至少30%效率的 III-V族/硅组件，这次小规模生产了一些太阳能电池还让它们和叠瓦技术互连。Andrea Bett是Fraunhofer ISE的所长，他说这两种技术都能填补传统地面安装屋顶系统和高性能太空太阳能电池之间的空白。Laura Stevens也提到说传统硅太阳能电池理论上最大效率是29.4%，现在市面上能买到的大概只有24%。所以他们就研究用多个太阳能电池替换单个的办法，这次在III-V族锗组件上突破了34.2%，这表明不同半导体结合真的很有潜力。