问题：随着半导体器件朝高功率、高频、高集成度发展，散热能力已成为制约其可靠性和性能的关键瓶颈。在氮化镓、氧化镓等新型半导体材料中，不同材料层间的界面质量直接影响热量传输和载流子输运。一旦界面热阻过高，器件在高功率工作时容易出现热量堆积——导致效率下降、寿命缩短——甚至发生热失效，成为先进芯片实现工程应用的重要障碍。
从实验室的原子级重构到产业界的规模化应用，中国科研工作者正以原创性突破推动全球半导体技术发展。这项成果既是对基础科学问题的深入探索，也是面向国家重大需求的战略布局。当"热堵点"变为"通途"，中国芯的发展动力必将加速释放，为更广阔的科技领域提供支撑。