韩媒 ETNEWS 昨天透漏说，三星电子的 1c nm DRAM 内存，在高温环境下进行热测试时，良率已经达到了 80%。这可是比之前预期的 2025 年第四季度 60~70% 高出不少呢。看来他们的工艺和技术真是有了很大改进，量产能力也更成熟了。一般来说，DRAM 大规模生产时良率在 80~90% 之间才算是正常的。三星这个 1c nm 的制程预计在今年五月前后就能突破 90%。说到 HBM4 AI 内存，三星这次也有新进展。本来 HBM4 的良率只有 50%，这次能提升到接近 60%，那就意味着他们可以在有限的产能下产出更多的 HBM 内存，为这个高利润市场再拿下一块蛋糕。 这次制程良率提高了，产能也跟着上来了。这 1c nm 制程的晶圆月投片量，去年年末只有 6 万片，到今年下半年就能增加到 20 万片。这么一看，三星的产能要翻三倍了。现在三星电子把DRAM和HBM都搞上去了，给 AI 芯片市场又添了一个重量级选手。大家也都在等着看这会带来什么样的影响呢。