问题——需求结构重塑下的“新约束”正形成。随着智能应用快速普及，全球半导体产业进入由算力、带宽与能效共同定义的新阶段。一上，芯片需求继续增长，但增量分布更为集中：数据中心推理算力需求快速攀升，先进封装成为系统性能提升的关键环节；另一方面，高带宽存储、功率器件及关键材料等环节不同程度出现供给偏紧。对产业而言，如何扩产与技术迭代之间把握节奏，如何在全球竞争与供应链不确定性中提升韧性，成为企业与产业链共同面对的问题。 原因——“算力革命+能效压力”叠加，驱动全链条加速演进。本届展会以“跨界全球·心芯相联”为主题，在上海新国际博览中心举办，展览面积逾10万平方米，汇聚1500家展商、设置5000余个展位，吸引超过18万人次专业观众，覆盖设计、制造、封测、设备、材料等环节。行业机构人士在展会期间指出，2026年全球人工智能基础设施支出预计将达到约4500亿美元，其中推理算力占比将首次超过70%。这意味着需求重心正从“训练驱动”转向“推理规模化落地”，对晶圆制造、先进封装以及设备与材料提出更高要求。另外，存储从配套环节上升为关键资源：预计全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为重要增长点；其中高带宽内存（HBM）需求最为强劲，人工智能有关存储需求占比有望突破40%，全球HBM产能缺口预计在50%至60%之间，供需矛盾或向上游材料、设备及封测环节传导。技术层面，“先进制程+先进封装”双轮驱动更为明确，系统级集成正成为提升性能与能效的重要路径。 影响——从材料到封装，产业竞争焦点向“高端供给能力”集中。展会释放的信号显示，半导体竞争正在从单点能力转向系统化交付能力：不仅比拼制程与良率，也比拼封装架构、散热与功耗控制、供应链稳定性以及规模化制造能力。，第三代半导体的重要性深入上升。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的材料，凭借高耐压、高频、高温等特性，在新能源汽车主驱与快充、光伏与储能、数据中心电源与服务器电源管理等领域加速渗透。尤其在高功率、高能效应用中，碳化硅器件需求增长带动上游衬底与外延扩产提速，产业链对“大尺寸化、低缺陷密度、稳定供货”的要求明显提高。 对策——以“大尺寸化+产业化”夯实基础能力，提升自主可控与协同效率。展会现场，国内厂商集中展示第三代半导体从衬底、外延到器件制造的全链条进展，“12英寸”成为热词。业内认为，大尺寸碳化硅衬底有助于提升单位产出、降低制造成本，对电动汽车、新能源与数据中心等增量市场意义突出，也为光学、热学相关的新应用打开空间。多家企业展示了12英寸碳化硅衬底产品与工艺能力：天岳先进重点呈现8英寸与12英寸碳化硅衬底产业化成果，其12英寸产品已向多家核心客户实现批量交付，体现出在大尺寸量产与稳定供货上的阶段性进展；天科合达展出覆盖6英寸、8英寸、12英寸导电型碳化硅衬底及外延片等产品，并披露累计交付超过150万片碳化硅衬底、合作客户超过500家，相关产品已头部新能源车企实现量产应用，上车规模超过五百万辆；电科材料则展示了碳化硅晶体衬底及外延、硅外延、硅基氮化镓外延等产品矩阵，覆盖4至12英寸多规格体系。行业人士认为，下一步需在关键工艺一致性、缺陷控制、检测评价体系、产线良率提升以及与下游器件设计协同上持续推进，同时推动材料、设备、封装测试等环节形成更紧密的配套联动，减少“单点突破、系统受限”。 前景——增长仍将延续，但比拼的是韧性、效率与创新的综合能力。综合展会信息与产业趋势判断，未来一段时期，人工智能带来的算力基础设施建设仍将拉动晶圆制造、先进封装与存储产业链扩张；存储尤其是HBM的供需紧平衡或将持续，价格与交付周期波动仍需关注；第三代半导体处于从“导入期”向“规模化应用期”加速过渡的窗口。国内产业大尺寸衬底、外延与终端应用验证上进展明显，但要在全球竞争中保持竞争力，仍需在核心装备与关键材料国产化、标准与认证体系完善、人才建设与研发投入效率提升等加强协同，以更高质量供给匹配快速增长的市场需求。
SEMICON China 2026不仅是一场技术展示，也是全球半导体产业变化的缩影。在AI驱动的背景下，技术创新与国产化突破将成为产业演进的重要动力。面对机遇与挑战，中国半导体企业仍需持续推进核心技术攻关，加快产业化落地，为全球供应链的稳定与升级提供更多支撑。