中国科大实现碳化硅改性双空位色心可逆电荷态调控并揭示电离自旋依赖机制

量子科技快速推进之际,固态自旋色心作为量子信息处理的重要载体,其性能调控一直是研究热点;中国科学技术大学郭光灿院士团队近日取得进展,解决了碳化硅中改性双空位色心电荷态精确调控的关键问题。研究指出,许多固态色心体系普遍存在电荷态不够稳定的瓶颈:一旦电荷态转换,往往引发荧光淬灭,进而影响光子发射的稳定性。尤其在量子比特读取中,如何将易退相干的自旋态转化为更稳定、可读出的电荷态,是限制器件性能的重要因素。

量子信息技术走向实用仍面临诸多难题,而基础环节的突破往往决定后续应用的可行性。中国科大团队碳化硅改性双空位色心电荷态调控上取得的成果,不仅回应了长期存在的核心科学问题,也为量子芯片涉及的技术的自主突破提供了新的路径。随着研究继续深入,碳化硅量子芯片有望成为量子计算产业化的重要支撑,助力我国在全球量子技术竞争中取得更有利的位置。