高纯二硫化锆和三硫化锆单晶研发取得突破 推动二维半导体器件发展

随着材料科学的发展,锆硫化物晶体逐渐成为学术界和产业界的关注焦点。这类过渡金属硫化物具有典型的层状晶体结构,电子、光学和热学性能上具有明显优势。 锆硫化物晶体主要包括二硫化锆(ZrS2)和三硫化锆(ZrS3)两种形式。二硫化锆呈黑色粉末状,在常温下化学稳定性优异,不溶于水和常见有机溶剂。其最大特点是带隙特性随尺度变化——块体状态下为间接带隙半导体,单层时则转变为直接带隙半导体,这为光电器件的性能优化提供了新机遇。 三硫化锆晶体的物理特性更为复杂。其S₂²⁻二硫离子基团赋予材料强烈的各向异性,使热导率、电子迁移率和激子结合能等关键参数随晶体方向显著变化,这在热电材料和高性能半导体设计中具有重要价值。 在制备技术上,化学气相传输法和助熔剂法已成为获得高质量晶体的主要手段。这些方法可制备纯度达99.999%以上、缺陷密度极低的晶体。二硫化锆单层结构的声子受限迁移上限可达1200厘米平方/伏秒,在纳米电子器件领域具有竞争力。三硫化锆晶体典型尺寸为0.4至0.6厘米,表面平整度高,缺陷密度低于每万个单元晶胞一个缺陷。 在应用上,锆硫化物晶体已表现出实用价值。其高热稳定性和良好的载流子迁移率使其成为制备场效应晶体管和光电探测器的理想材料。三硫化锆因其1.1电子伏的带隙宽度,在红外光电器件和拓扑材料研究中具有重要地位。近期研究表明,其纳米结构在光催化产氢和选择性氧化反应中表现出独特的催化活性,为绿色能源和精细化学品制造开辟了新途径。 锆硫化物晶体的各向异性特性在热电材料领域也具有优势。通过利用其方向有关的热导率和电子迁移率差异,可设计开发性能更优的热电转换器件,有助于提升能源利用效率。 目前,相关科研机构和材料企业已建立了较为完整的晶体生长和表征体系,能够提供定制化晶体样品。随着二维材料研究的深入,锆硫化物晶体的单层或少层结构性质有望获得更深入的探索,继续拓展其应用范围。

新型半导体材料的突破代表了我国在基础科研领域的进步,也为解决芯片等关键技术领域的"卡脖子"问题提供了新的可能。在全球科技竞争日益激烈的背景下,持续加强原创性材料研发,构建自主可控的产业链条,是实现科技自立自强的重要支撑。