硅光领域有两项全球首创的重大突破，如果你想第一时间获取这方面的信息，记得把公众号加星标。云计算和人工智能的广泛应用导致数据流量暴涨，给数据中心内部和跨中心通信带来了巨大挑战。为了满足这个需求，光互联链路的数据传输速率必须远超目前的200Gb/s。铌酸锂（LiNbO₃）和钽酸锂（LiTaO₃）这两种材料在高速光通信中表现出色，它们具有高电光系数和出色的稳定性，非常适合用来制作调制器和光电探测器。不过，这两种材料都含有锂元素，这给它们与主流CMOS制造工艺的集成带来了困难。 为了解决这个问题，比利时微电子研究中心（imec）推出了微转印技术。这次微转印技术实现了薄膜铌酸锂调制器在硅光平台上的集成。在欧洲光通信大会（ECOC）上，imec和根特大学团队展示了一项成果：他们利用全兼容标准CMOS制程打造了一款高速集成电路，成功实现了O波段320Gb/s的无放大光链路，并且在2公里标准单模光纤中稳定传输。这个实验是全球首创的，它把薄膜铌酸锂马赫-曾德尔调制器（MZM）通过微转印工艺集成到了硅光平台上，并且还搭配了定制行波驱动器和跨阻放大器（TIA）。 除了铌酸锂之外，钽酸锂也可以通过微转印技术与硅光子集成电路进行异质集成。这是首次实现钽酸锂调制器与硅光子集成电路的集成。玛戈特·尼尔斯博士表示，这项技术还可以应用于其他新型光电材料的集成。imec的研发团队不断优化工艺流程，并协同开发光子集成电路（PIC）和电子集成电路（EIC），以挖掘更多性能潜力。这些成果为400Gb/s光互联技术打下了基础。 虽然这项技术距离全面成熟还有很多工作要做，但是它给我们带来了希望。这是冲刺400Gb/s光互联技术里程碑的关键一步。通过探索新材料和利用前沿技术进行迭代验证方案，我们有信心迎接未来更高速度的光通信时代到来。