在2030年，使用1000瓦EUV和X射线技术的新一代半导体设备有望让产能大幅跃升。预计单台设备每小时能生产约330片晶圆，这个数字比目前的220片高出不少。ASML把EUV光源功率从600瓦提升到1000瓦，这是一个重大突破。功率更高意味着曝光时间更短、成本更低、产能更大。 我们来看看1000瓦EUV是怎么实现的。ASML把锡滴喷射速率提升了一倍，每秒能产生约10万滴熔融锡。他们还把单束塑形脉冲换成了两束短脉冲激光，这样能瞬间点燃锡等离子体。腔室温度比太阳表面还要高，通过蔡司光学系统收集13.5纳米波长的EUV光，然后导入光刻机进行曝光。ASML首席技术专家透露说，他们已经看到通往1500瓦EUV的路径，2000瓦也不存在根本障碍。 除了ASML，一些初创公司也在挑战半导体市场。Substrate公司直接跳过了ASML的13.5纳米EUV路线，他们用粒子加速器产生0.01到10纳米波长的X射线。Substrate声称可以打印12纳米图案，精度能和High-NA EUV媲美。更厉害的是，Substrate计划自建晶圆厂，把光刻机和代工服务打包起来提供给客户。他们去年10月就获得了1亿美元融资。 xLight公司则是通过LPP光源来提升产能。他们计划在2028年把LPP光源插入ASML扫描仪中使用，声称功率已经超过1000瓦。英特尔前CEO帕特·基辛格加入了xLight董事会担任执行董事长，这让公司信誉大增。今年4月的融资活动超额认购了4000万美元，美国商务部还追加了1.5亿美元无约束意向金。 ASML有1000瓦EUV技术，所以他们在成熟节点和高产能市场占据主导地位。Substrate和xLight则通过X射线和LPP光源来差异化竞争，目标是更先进节点和更低成本。当产能、成本和速度这三个指标同时刷新时，芯片制造的下一次飞跃可能不再只是升级光源那么简单了。 每个企业都想在这个市场里获得优势。 他们给客户提供多样化的选择。 芯片制造行业正在经历一次重大变革。 谁将主导下一轮制程还没有定论。 这些公司都在为未来做准备。