俄罗斯放出狠话，说他们掌握了EUV光刻机的核心技术，还宣称能比中国更早造出整机。就在2025年9月，一位名叫Dmitrii Kuznetsov的俄罗斯博士站出来，公开吹嘘他们已经搞定了这项技术，并且计划在2026年到2036年这十年内分三步走，从40纳米级别一步步升级到10纳米以下的EUV光刻机。EUV光刻机是造高端芯片的关键装备，咱们用的智能手机、电脑还有5G设备里面的芯片，全都得靠它来生产。目前全球只有荷兰的ASML一家能造出这种设备，中国和俄罗斯都还在努力追赶。为了造出这种设备，俄罗斯主要依靠了苏联时期积累的技术底子。上世纪七十年代苏联就开始研究EUV光刻的原理了，当时搞出来的多层镜制造方法后来还被国际上广泛使用。多层镜是EUV光刻机的关键部件之一，相当于“眼睛”，能精准反射极紫外光，俄罗斯在这方面确实有技术积累。除了多层镜技术外，俄罗斯在等离子体光源方面也有不少经验积累。虽然俄罗斯在2025年就造出了第一台国产光刻机（虽然只能生产350纳米制程的芯片），证明他们有能力搭建本土产业链。不过他们选择的11.2纳米波长技术路线和氙气等离子体光源虽然独特，但全球EUV产业都遵循13.5纳米的标准。相关的配套产业如光刻胶和镜片抛光工具都得从零开始研发。而中国在这个领域也有自己的优势。根据2026年3月的消息显示，中国的28纳米沉浸式光刻机已经通过验证并开始量产交付了。核心部件国产化率超过了90%，中芯国际已经能用自己的DUV光刻机通过多重曝光工艺造出7纳米芯片。上海微电子的EUV原型机已经进入试产阶段。中国与荷兰ASML还有一定差距但研发速度很快。尽管俄罗斯有技术底子但产业化基础薄弱、配套产业链不完善以及研发计划跨度长这些因素都影响了他们的进展。 相比之下，中国在产业链完整性和稳步推进方面具有明显优势。尽管目前与ASML还有技术差距但已经有了实际量产成果能够满足市场需求。无论是俄罗斯还是中国都在奋力突围摆脱国外技术封锁实现自主可控。光刻机研发需要大量精密零部件和资金人才投入不是一蹴而就的事情。 俄罗斯敢说比中国快是因为有深厚技术积累和资金支持但也面临诸多挑战；中国不骄不躁稳步推进反而更有优势。 最终谁能先造出EUV光刻机关键在于后续产业化推进和技术突破让我们期待双方进展为中国科技加油！