我国科研团队突破硅锗单光子探测芯片关键技术 实现高端传感器自主可控

近年来,短波红外探测凭借其穿透烟尘雾霾、弱光成像和材料识别等优势,在智能终端夜景成像、车载激光雷达和工业无损检测等领域表现出重要价值;然而,受限于高昂的核心器件成本、供应链约束以及与现有制造体系兼容性不足等问题,该技术尚未在消费级市场实现大规模应用。

这项成果标志着我国芯片产业正从技术追赶迈向自主创新。西电团队根据国内产业基础,开辟了一条兼具国际竞争力的技术路线。随着硅锗工艺的成熟和产业化推进,短波红外技术将加速从专业领域走向大众市场,为我国感知芯片领域的自主发展奠定基础。这也再次证明,科技突破的真正意义在于将先进技术转化为推动产业升级、改善生活实际动力。