全球能源结构加速转型，电动汽车、数据中心等新兴领域对功率半导体的需求快速增长。这个背景下，晶圆代工企业SK启方半导体发布第四代200V高压0.18微米BCD工艺，标志着其在高端功率芯片工艺上的深入突破。 从需求端看，本次工艺升级主要由两股力量驱动。一上，汽车电气系统正升级，传统12V体系逐步向48V演进，新能源汽车对高效率电源管理的要求持续提高。另一上，为提升电力效率与功率密度，AI服务器与数据中心正将直流母线电压从380V提升至最高800V，对功率器件的耐压能力与控制精度提出更高要求。 BCD工艺是一种将模拟、数字与高压功率器件集成同一芯片上的制造技术。SK启方此次推出的第四代工艺在关键指标上有明显提升：导通电阻、击穿电压等核心参数较前代改善超过20%，在实现同等功能的情况下，可带来更小芯片面积、更低功耗损耗和更高效率。 从技术特点看，该工艺引入多项设计优化。其提供低导通电阻器件选项，可按不同工作电压进行配置，以降低整体功耗；同时配备厚层绝缘膜选项，在保障数字信号传输的同时，减少高电压耦合与噪声干扰。该工艺还支持多种嵌入式存储选项，包括静态随机存储器、只读存储器、多次可编程存储器等，并集成霍尔传感器用于精密电机控制，提升电路设计的灵活性与可扩展性。 在应用上，该工艺可用于高电压电源管理与转换芯片、电机驱动器、LED驱动器、电源供给用栅极驱动器等产品开发。同时，该工艺已满足汽车可靠性评估标准AEC-Q100 Grade 0要求，具备进入车用市场的条件。SK启方半导体已与国内外主要客户开展产品开发合作，计划年内实现量产，为对应的产业链提供工艺与产能支撑。 SK启方半导体CEO李东载表示，200V高电压0.18微米BCD工艺实现量产意义重大，公司将持续围绕功率半导体客户需求，推进工艺升级与完善。
在全球科技竞争日益聚焦绿色低碳技术的背景下，功率半导体正成为连接能源变革与数字化发展的关键环节。SK启方的工艺进展表明了产业对“双碳”目标的直接响应，也显示出后摩尔时代的一条现实路径：通过系统级优化继续释放成熟制程潜力。随着应用需求持续拉动有关技术迭代，功率半导体产业链的价值分工与竞争格局也可能随之发生变化。