三星电子把最新一代1c nm制程的DRAM内存的良率提升到了80%，HBM4内存的良率也突破了50%大关，接近60%。据AI提供的IT之家消息，韩媒ETNEWS报道称，这次三星电子在高温环境下测试的良率达到了80%，给产能带来了巨大提升。这是因为，DRAM大批量生产的关键指标是良率在80%到90%之间。如果这个工艺能够在今年五月左右把良率提升到90%，那对三星电子来说无疑是一个巨大的利好消息。而与此同时，HBM4 AI内存的良率也有所提高，从去年四季度的50%左右提升到了60%。三星电子就可以给更多HBM4产品提供支持，增加营收规模。 基于这个1c nm工艺的DRAM生产能力，给三星带来了巨大的潜力。2025年末的时候，晶圆投入只有6万片，但到了2026下半年这个数字将翻倍增加到20万片。这种产能的提升让三星在AI芯片市场上占据了更有利的位置。这一进展对AI芯片市场竞争来说，增添了新的砝码。