虽然人工智能正迅速成为许多业务的核心驱动力，不过技术实现上存在不少挑战，AI模型依赖于大量的数据存储以及强大的算力支持。英伟达选择与三星合作开展铁电NAND的研发工作，正因为这一技术被视为能同时解决芯片短缺和AI数据中心电力危机的关键突破点。 全球NAND供应在2022年达到峰值，不过今年却预计会下降至1540.8万片晶圆，到2028年也仅能恢复至1761万片，远远不能满足激增的需求。英伟达打算把这种新型技术引入下一代加速器“Vera Rubin”中，单是这次需要的NAND就将占到全球总量的9.3%，这势必进一步推高市场需求。 由于NAND短缺日益严重，价格在今年第一季度就出现了90%的涨幅。再加上电力危机日益加剧，国际能源署预计AI数据中心的耗电量将从2024年的约450太瓦时激增至今年的550太瓦时。英伟达意识到，这些问题可能会导致其AI加速器供应中断，并增加客户的成本负担。 为了解决这些问题，英伟达不断扩大对新技术的投资。例如，英伟达在3月2日向硅光子学初创企业Lumentum Holdings和Coherent投资了40亿美元，折合人民币约275.16亿元。去年，英伟达还宣布计划建立“英伟达加速量子研究中心”（NVAQC），通过结合GPU和量子处理单元来最大化效率。 这种铁电材料的特性在于无需高电压就能保持正负两极分离的极化状态。如果用铁电材料替代硅材料，将显著降低对电压的需求，同时也能实现更密集的堆叠从而提高供应能力。三星与英伟达已经开发出一种AI技术，能够把分析速度较现有方法提升一万倍。 三星电子在过去12年间的专利申请中占有27.8%的比例，显示了其世界领先的竞争力。去年年底展示的“用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管”正被用于推动产品商业化。与此同时，中国北京大学也成功开发出全球最小的1nm铁电晶体管。 这项技术实现高达1000层的堆叠并且最多可降低96%的功耗。市场研究机构Omdia发布的数据显示了这种需求的迫切性：全球NAND供应量在2022年达到峰值后预计会持续下降。随着这项技术的引入预计会进一步推高市场需求：英伟达计划在其下一代加速器中引入名为“推理上下文内存存储”（ICMS）的新型NAND。 英伟达的这种举动实属罕见：直接参与内存研发尤其是尚未商业化的铁电NAND这类未来技术。这种突破性技术不仅能破解芯片短缺问题还能解决AI数据中心的电力危机。三星电子目前拥有约200~300层的NAND堆叠技术并且正把铁电材料作为未来实现1000层堆叠的核心技术进行重点攻关。 此外还有一些公司也在开发基于NAND技术的高带宽闪存（HBF）。通过堆叠1000层并最多降低96%功耗这项技术为行业提供了新的解决思路：英伟达和三星联手推进铁电NAND商业化是为了重塑存储行业格局。 得益于AI需求包括HBM和NAND在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面：国际能源署预计AI数据中心的耗电量到2030年将达到950太瓦时几乎翻倍：此次与三星电子在铁电技术上的合作被视为其获取新兴技术努力的一部分：通过实现高达1000层堆叠并降低功耗96%这项技术将破解芯片短缺与AI数据中心电力危机：IT之家消息称得益于AI需求包括HBM和NAND在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求局面：首尔经济日报报道称英伟达已加入三星电子研发行列共同开发新AI技术并合作研发铁电NAND闪存：据Omdia于3月12日发布最新数据显示全球NAND供应量在2022年达到峰值出货量达2138.7万片晶圆：Lumentum Holdings和Coherent都是硅光子学初创企业：NVAQC是“英伟达加速量子研究中心”： 据悉这项突破性技术不仅能破解芯片短缺问题还能解决AI数据中心电力危机：中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈：英伟达计划把这种新型技术引入下一代加速器“Vera Rubin”中：市场研究机构Omdia发布最新数据显示全球NAND供应量在2022年达到峰值出货量达2138.7万片晶圆：得益于AI需求包括HBM和NAND在内各种存储芯片已经普遍处于供不应求局面：中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈：铁电材料特性在于无需施加外部电场即可保持正负两极分离极化状态：英伟达直接参与内存研发尤其是尚未商业化铁电NAND这类未来技术实属罕见之举： 这次与三星电子在铁电技术上合作被视为其获取新兴技术努力一部分：中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈：这次与三星电子在铁电技术上合作被视为其获取新兴技术努力一部分：这种铁电材料特性在于无需施加外部电场即可保持正负两极分离极化状态：中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 铁电材料特性在于无需施加外部电场即可保持正负两极分离极化状态：中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电晶体管预示着行业竞争正日趋激烈： 中国北京大学上月也成功开发出全球最小1nm铁电