近期一场公开访谈中，中国科学技术大学原副院长、物理学教授朱士尧关于光刻机发展的观点引发热议。他指出，顶级极紫外（EUV）光刻机的研发很难由单一国家独立完成，而是全球工业体系长期协作的产物。这番话被部分观众误读为“唱衰”，但更接近对中国半导体产业发展路径的冷静分析。 问题：技术壁垒与产业现实 光刻机是芯片制造的关键设备，技术复杂度处于现代工业的高位。一台EUV光刻机重约180吨——包含十万多个精密零件——许多部件的加工与装配精度需要达到纳米级。荷兰阿斯麦（ASML）之所以能做出顶级设备，也并非依靠一家企业或一个国家的力量，而是整合全球供应体系：美国提供光源对应的技术，德国蔡司负责高精度光学镜头，日本供应关键材料，瑞士和瑞典提供超精密机械部件。朱士尧用更直观的说法形容：“阿斯麦更像‘班长’，把各领域的‘学科第一’组织起来，拼成一台机器。” 原因：全球分工的经济性与技术门槛 美国曾尝试推动EUV光刻机全产业链的独立研发，但最终因成本过高、关键技术难点难以突破而放弃。朱士尧认为，全球分工既是经济上的选择，也是技术门槛决定的结果。当前一台EUV光刻机背后涉及全球5000多家供应商，任何关键环节受阻都可能影响整机交付与运行。对中国而言，如果选择完全“从零到一”覆盖全部环节，将面对极高的投入、周期和不确定性风险。 影响：中国半导体产业的阶段性成就与挑战 在深紫外（DUV）光刻机领域，中国已取得实质进展。上海微电子的90纳米光刻机实现量产，28纳米浸没式机型也已交付，良率稳定在90%以上，可覆盖汽车芯片、家电等中端需求。但EUV光刻机所需的0.1纳米级镜面平整度、高功率且稳定的光源，以及数万部件的系统级协同控制，仍是难度极高的工程与技术关口。朱士尧强调：“中端技术我们已能‘站起来跑’，但顶端是另一维度的竞争。” 对策：开放合作与重点突破并行 朱士尧建议，中国不应把路径简化为“闭门造车”，而要在国际协作与自主创新之间找到更现实的组合。一上，积极参与全球产业链分工，可合作的领域争取关键技术与产业合作空间；另一上，把资源更集中地投向材料纯度、精密制造等基础能力短板，通过长期投入提升底层制造与工程能力。朱士尧认为，中国在高铁、光伏等产业上走过“引进—消化—超越”的路径，半导体产业也可在此经验上形成更符合自身条件的推进方式。 前景：长期积累与战略耐心 朱士尧指出，短期内实现EUV光刻机完全自主难度很大，但中国较完整的工业体系与持续投入，为未来突破提供了基础。他判断，未来10—20年，如果保持稳定投入并在全球化合作中寻找突破口，中国有望在若干关键环节实现实质进展，逐步缩小与国际先进水平的差距。
面对EUV光刻机这类“工业皇冠上的明珠”，既要保持战略定力，也要尊重技术与产业规律。把问题讲清楚、把路径设计得更可执行，比情绪化判断更重要。坚持分层推进、补链强基、协同攻关，在时间与体系积累中提升自主创新能力与产业韧性，才能在全球科技与产业竞争中赢得更稳固、可持续的主动权。